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阿贡纳米科学家发明更好的蚀刻技术
阿贡国家实验室的科学家们利用一种新的基于sis的光刻技术，可以将深谷蚀刻到纳米级的材料中。
图片来源:阿贡国家实验室提供
阿贡国家实验室的研究人员开发了一种改进的蚀刻方法，该方法涉及向计算机芯片发射电子束，这可能会带来新的先进技术。
Argonne研究人员Seth Darling说，这种方法可能会彻底改变图案转移到不同材料上的方式，为下一代能源、电子和存储技术带来一种新方法。
研究人员开发了序贯渗透合成(SIS)技术，该技术涉及无机材料在聚合物薄膜中的受控生长。这项技术使科学家能够构建具有独特特性和三维几何形状的材料。
达林说:“有了SIS，我们可以用无机材料渗透薄而细腻的抗蚀膜，使其更加坚固。”通过将SIS与嵌段共聚物结合，该方法可以扩展到生成比电子束光刻更小的特征。达林说:“希望我们的发现能给科学家们带来额外的优势，使他们能够以更高的分辨率创建更深的图案。”
从阿贡国家实验室
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，美国马里兰州贝塞斯达
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