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超越硅:晶体管的未来
宾夕法尼亚州立大学的研究人员正在开发一种晶体管原型，它可以在比标准互补金属氧化物半导体器件更低的电压下工作，同时保持高性能和功率效率。
图片来源:Suman Datta/宾夕法尼亚州立大学
宾夕法尼亚州立大学(PSU)的研究人员正在开发一种晶体管原型，它可以在比标准互补金属氧化物半导体(CMOS)器件更低的电压下工作，同时保持高性能和功率效率。该原型是一个高频、低功率的隧穿晶体管，可以在标准硅晶体管一半的电压下提供高性能。
研究人员调整了铟砷化镓/砷化镓锑的材料组成，使能量势垒接近于零，从而使电子能够穿过势垒。
研究人员还在探索一个被称为“摩尔的更多”的概念，这意味着在下一代信息技术应用中，用户将对更直接地与他们的设备交互感兴趣。这项技术将超越传统硬件，创造出传统上不属于摩尔定律的用户-机器界面。
研究人员正专注于基于敏感的微机电系统的磁传感器，这种传感器直接与CMOS技术集成，可以记录和解释大脑信号。
最后，研究人员正在研究一个叫做“摩尔以外”的区域。“我们正在大力推进的一个领域是，尝试看看是否可以通过人工硬件实现我们所谓的神经形态计算范式，在这种范式中，我们不使用1和0，而是用联想的方式来做事情，”PSU教授Suman Datta说。
从宾夕法尼亚州立大学
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