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设计减少纳米线晶体管的占地面积
隧道场效应晶体管
信贷:GigaOm
一个*STAR微电子研究所的研究人员已经将两个晶体管集成到一个垂直的硅纳米线上，他们说这将进一步推动纳米线晶体管的面积密度极限。
由A*STAR的李翔领导的研究人员使用了被称为门全能门的环绕门来制造这种新设备。这种栅极由一个垂直的圆柱体和中间的纳米线组成，研究人员说它们在控制晶体管电流方面比传统的平面栅极好得多。
这些门被用来开发一种只使用一根纳米线的逻辑装置。这种逻辑器件的功能就像一个“与”数字门，但只使用了它需要的50%的面积。此外，研究人员还表示，这种堆叠栅结构可能有助于使隧道场效应晶体管(tfet)成为可能。由于tfet依赖于电子穿过屏障的隧穿，而不是选举的热激活，因此它们启动迅速且运行高效。
Li指出，TFET所需的隧道结可以在双栅纳米线几何结构的两个栅极之间形成，从而实现极其紧凑的部署。双栅极设计也可用于非易失性存储器。
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，美国马里兰州贝塞斯达
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