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新的混合内存立方体规格将Dram带宽提高15倍

通过计算机世界
2013年4月3日
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混合内存立方体联盟最近宣布了3D动态随机存取内存(DRAM)的最终规范，该规范旨在提高网络和高性能计算应用的性能。

混合内存立方技术将多个易失性内存模堆在DRAM控制器的顶部。DRAM通过垂直互连接入(Vertical Interconnect Access)技术与控制器相连。垂直互连接入是将电线垂直穿过硅片的方法。

美光的迈克•布莱克表示:“我们将DRAM的逻辑部分功能去掉，并将其放入位于3D堆栈底部的逻辑芯片中。”“这种逻辑过程使我们能够利用更高性能的晶体管……不仅可以通过它上面的DRAM进行交互，还可以以高性能、高效的方式通过通道与主机处理器进行交互。”

逻辑层既是主机接口连接，也是位于其上的DRAM的内存控制器，Black说。此外，分析师吉姆•汉迪(Jim Handy)指出，混合内存立方技术减少了DRAM必须执行的任务，因此它只驱动穿过硅的通孔，连接到更低的负载、更短的距离。

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