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由碳纳米管制成的复杂集成电路
斯坦福大学的研究人员已经开发出第一个三维碳纳米管电路。三维纳米管电路可能是制造纳米管计算机的重要一步，它可能比硅芯片更快，耗电更少。斯坦福大学的研究表明，使用碳纳米管制造堆叠电路是可能的。堆叠电路在一个特定的空间中包含了更多的处理能力，并且能更好地散热。斯坦福的电路设计允许创建更复杂的纳米管电路，尽管材料的限制。
当纳米管阵列生长成电路时，半导体纳米管和金属纳米管混合在一起，如果不消除它们，就会导致电短路。之前的努力都集中在创造生长直的纯纳米管的方法上，但斯坦福大学的研究人员转而专注于减少任何缺陷，以确保系统仍然工作。
研究人员使用了斯坦福大学教授Subhasish Mitra所说的“哑巴”布局。用戳将生长在石英衬底上的碳纳米管平面排列阵列转移到硅片上。然后在这些纳米管上覆盖金属电极，并在纳米管和晶圆表面之间插入绝缘层，作为后门。然后加上一个顶浇口，这样它就不会与任何错位的管子连接。然后对电路进行蚀刻以去除最终电路设计中不需要的金属电极。在3D电路的最终蚀刻过程之前，重复冲压和电极生长过程来堆叠所需的层数。
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